TP65H050WS / TP65H035WS Taranaka Fahatelo (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Transistors-effecteur (FET)

GaN FETs ao amin'ny Transphorm dia manasongadina ny fihenan-tsofina mahery kokoa amin'ny alàlan'ny fampihenana ny fidiran'ny elektromagnetika (EMI) ary ny fampitomboana ny tsy fahampiana

Transphorm's TP65H050WS sy TP65H035WS dia Gen III 650 V GaN FETs. Izy ireo dia manome EMI ambany kokoa, fampitomboana ny hery fiarovana amin'ny vavahady ary lehibe kokoa ny efitranon-dahatsoratra amin'ny fampiharana circuit. Ny 50 mΩ TP65H050WS ary ny 35 mΩ TP65H035WS dia misy ao anaty fonosana TO-247 mahazatra.

Ny MOSFET sy ny fanovana modely dia ahafahan'ny fitaovana Gen III manolotra volavolan-taolana mitombo (fiadiana ny feony) hatramin'ny 4 V avy amin'ny 2.1 V (Gen II) izay manafoana ny filàna vavahady ratsy. Ny fitokisan'ny vavahady dia nitombo hatrany amin'ny Gen II ka hatramin'ny 11% ka hatramin'ny ± 20 V sisa. Izany dia miteraka fihodinana am-pilaminana ary manome ny fanatsarana ny haingam-pandeha amin'ny haavo ambony kokoa miaraka amin'ny haavo ivelany ivelany.

1600T ny Seasonic Electronics Company dia 1600 W, sehatra totem-post tsy manam-bady izay mampiasa an'ireto tondro molotra GaN FET ity mba hitondra fahombiazana ho an'ny fanamafisam-peo 99% herinaratra (PFC), amin'ny fahitana bateria (e-scooter, indostrialy ary maro hafa), herin'ny PC, mpizara , ary tsenan'ny filokana. Ny tombony amin'ny fampiasana ireo FET ireo miaraka amin'ny vovonana miorina amin'ny silikon 1600T dia mitombo ny fahombiazana amin'ny 2% ary ny fitomboan'ny herinaratra amin'ny 20%.

Ny lampihazo 1600T dia mampiasa TP65H035WS Transphorm hahatrarana fahombiazan'ny fitomboan'ny fihenjanana mafy sy malefaka ary manome safidy ho an'ny mpampiasa rehefa mamolavola ny rafitry ny rafi-pahefana. Ny tsiroaroa an'ny TP65H035WS miaraka amin'ireo mpamily vavahady mahazatra izay manamora ny endrika volavola.